Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
75 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
56 нКл при 10 В
Ширина
4.82мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.66мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
9.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 3 933,60
тг 786,72 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 3 933,60
тг 786,72 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 786,72 | тг 3 933,60 |
25 - 45 | тг 420,18 | тг 2 100,90 |
50 - 95 | тг 406,77 | тг 2 033,85 |
100 - 245 | тг 371,01 | тг 1 855,05 |
250+ | тг 362,07 | тг 1 810,35 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
75 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
56 нКл при 10 В
Ширина
4.82мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.66мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
9.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.