Infineon N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V, 3-Pin TO-220AB IRFB3607PBF

Код товара RS: 688-6923Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFB3607PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

75 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

140 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

56 нКл при 10 В

Ширина

4.82мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.66мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 933,60

тг 786,72 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V, 3-Pin TO-220AB IRFB3607PBF
Select packaging type

тг 3 933,60

тг 786,72 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V, 3-Pin TO-220AB IRFB3607PBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 786,72тг 3 933,60
25 - 45тг 420,18тг 2 100,90
50 - 95тг 406,77тг 2 033,85
100 - 245тг 371,01тг 1 855,05
250+тг 362,07тг 1 810,35

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

75 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

140 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

56 нКл при 10 В

Ширина

4.82мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.66мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.