N-Channel MOSFET, 210 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB3206PBF

Код товара RS: 124-8962Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRFB3206PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

210 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

120 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 210 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB3206PBF

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 210 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB3206PBF
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

210 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

120 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.