Infineon IRF9Z34NPBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
19 A
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Тип корпуса
TO-220AB
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
68 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
35 нКл при 10 В
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 670,50
тг 670,50 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 670,50
тг 670,50 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 670,50 |
| 25 - 99 | тг 335,25 |
| 100 - 249 | тг 290,55 |
| 250 - 499 | тг 286,08 |
| 500+ | тг 268,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
19 A
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Тип корпуса
TO-220AB
Серия
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
68 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
35 нКл при 10 В
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.