Dual N-Channel MOSFET, 12 A, 20 V, 8-Pin SO-8 Infineon IRF9910TRPBF

Код товара RS: 162-3296Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF9910TRPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

18,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.55V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.65V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 4,5 В

Высота

1.5мм

Серия

IRF9910

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 12 A, 20 V, 8-Pin SO-8 Infineon IRF9910TRPBF
Select packaging type

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 12 A, 20 V, 8-Pin SO-8 Infineon IRF9910TRPBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

18,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.55V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.65V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 4,5 В

Высота

1.5мм

Серия

IRF9910

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V