Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
6,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
480 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.67мм
Ширина
9.65мм
Типичный заряд затвора при Vgs
27 нКл при 10 В
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
тг 2 547,90
тг 509,58 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 547,90
тг 509,58 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 509,58 | тг 2 547,90 |
| 25 - 95 | тг 326,31 | тг 1 631,55 |
| 100 - 245 | тг 232,44 | тг 1 162,20 |
| 250 - 495 | тг 196,68 | тг 983,40 |
| 500+ | тг 192,21 | тг 961,05 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
6,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
D2PAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
480 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.67мм
Ширина
9.65мм
Типичный заряд затвора при Vgs
27 нКл при 10 В
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
