Infineon IRF9520NSPBF MOSFET

Код товара RS: 650-4160Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF9520NSPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

D2PAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

480 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

3,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Ширина

9.65мм

Типичный заряд затвора при Vgs

27 нКл при 10 В

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Вас может заинтересовать
Vishay P-Channel MOSFET, 6.8 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF9640STRLPBF
тг 585,57Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

тг 2 547,90

тг 509,58 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon IRF9520NSPBF MOSFET
Select packaging type

тг 2 547,90

тг 509,58 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon IRF9520NSPBF MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 509,58тг 2 547,90
25 - 95тг 326,31тг 1 631,55
100 - 245тг 232,44тг 1 162,20
250 - 495тг 196,68тг 983,40
500+тг 192,21тг 961,05
Вас может заинтересовать
Vishay P-Channel MOSFET, 6.8 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF9640STRLPBF
тг 585,57Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

D2PAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

480 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

3,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.67мм

Ширина

9.65мм

Типичный заряд затвора при Vgs

27 нКл при 10 В

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Вас может заинтересовать
Vishay P-Channel MOSFET, 6.8 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF9640STRLPBF
тг 585,57Each (In a Pack of 10) (ex VAT)