Infineon IRF9335TRPBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,4 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
110 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9,1 нКл при 15 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,4 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
110 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9,1 нКл при 15 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.