Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,4 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
59 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
4,7 нКл при 4,5 В, 9,1 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.98мм
Ширина
3.99мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.57мм
тг 1 385,70
тг 138,57 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 385,70
тг 138,57 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 138,57 | тг 1 385,70 |
50 - 90 | тг 125,16 | тг 1 251,60 |
100 - 190 | тг 102,81 | тг 1 028,10 |
200 - 490 | тг 93,87 | тг 938,70 |
500+ | тг 84,93 | тг 849,30 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,4 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
59 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
4,7 нКл при 4,5 В, 9,1 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.98мм
Ширина
3.99мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.57мм