P-Channel MOSFET, 9.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9333TRPBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
9,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
32 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
14 нКл при 4,5 В, 25 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 20 - 80 | P.O.A. |
| 100 - 480 | P.O.A. |
| 500 - 1980 | P.O.A. |
| 2000 - 3980 | P.O.A. |
| 4000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
9,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
32 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
14 нКл при 4,5 В, 25 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.