Infineon IRF9317PBF MOSFET

Код товара RS: 725-9243PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF9317PBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

16 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

3.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 4,5 В, 61 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.98мм

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.57мм

Вас может заинтересовать
Infineon HEXFET P-Channel MOSFET, 16 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9317TRPBF
Infineon HEXFET P-Channel MOSFET, 16 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9317TRPBFБренд: Infineon
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Infineon IRF9317PBF MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Infineon IRF9317PBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
Infineon HEXFET P-Channel MOSFET, 16 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9317TRPBF
Infineon HEXFET P-Channel MOSFET, 16 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9317TRPBFБренд: Infineon
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

16 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.3V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

3.99мм

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 4,5 В, 61 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.98мм

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.57мм

Вас может заинтересовать
Infineon HEXFET P-Channel MOSFET, 16 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9317TRPBF
Infineon HEXFET P-Channel MOSFET, 16 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9317TRPBFБренд: Infineon
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)