Infineon IRF7749L1TRPBF MOSFET

Код товара RS: 165-8086Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF7749L1TRPBF
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

375 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

DirectFET, HEXFET

Тип корпуса

DirectFET(M)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

7.1мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

9.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

200 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

0.49мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Страна происхождения

Mexico

Информация о товаре

DirectFET® Power MOSFET, Infineon

The DirectFET® power package is a surface-mount power MOSFET packaging technology. DirectFET® MOSFETs is a solution to reduce energy losses while shrinking the design footprint in advanced switching applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IRF7749L1TRPBF MOSFET

4000

Доступно в кратности 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

P.O.A.

Infineon IRF7749L1TRPBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

4000

Доступно в кратности 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

375 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

DirectFET, HEXFET

Тип корпуса

DirectFET(M)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

7.1мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

9.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

200 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

0.49мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Страна происхождения

Mexico

Информация о товаре

DirectFET® Power MOSFET, Infineon

The DirectFET® power package is a surface-mount power MOSFET packaging technology. DirectFET® MOSFETs is a solution to reduce energy losses while shrinking the design footprint in advanced switching applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.