Infineon HEXFET Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 2.3 A, 3.5 A, 25 V, 8-Pin SOIC IRF7105TRPBF

Код товара RS: 826-8829PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF7105TRPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

2,3 А, 3,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мОм, 400 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В, 9,4 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon HEXFET Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 2.3 A, 3.5 A, 25 V, 8-Pin SOIC IRF7105TRPBF
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon HEXFET Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 2.3 A, 3.5 A, 25 V, 8-Pin SOIC IRF7105TRPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

2,3 А, 3,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мОм, 400 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В, 9,4 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.