N-Channel MOSFET, 19 A, 200 V, 7-Pin DirectFET ISOMETRIC Infineon IRF6785MTRPBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
19 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
DirectFET(M)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
0.1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
4800
P.O.A.
4800
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
19 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
DirectFET(M)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
0.1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний