Infineon IRF6648TRPBF MOSFET

Код товара RS: 130-0948Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF6648TRPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

86 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

DirectFET, HEXFET

Тип корпуса

DirectFET(M)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

89 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.05мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.5мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

DirectFET® Power MOSFET, Infineon

The DirectFET® power package is a surface-mount power MOSFET packaging technology. DirectFET® MOSFETs is a solution to reduce energy losses while shrinking the design footprint in advanced switching applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IRF6648TRPBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 2
1P.O.A.
3P.O.A.
5P.O.A.
7P.O.A.
9P.O.A.
11P.O.A.
13P.O.A.
15P.O.A.
17P.O.A.
19P.O.A.
21P.O.A.
23P.O.A.
25P.O.A.
27P.O.A.
29P.O.A.

P.O.A.

Infineon IRF6648TRPBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 2
1P.O.A.
3P.O.A.
5P.O.A.
7P.O.A.
9P.O.A.
11P.O.A.
13P.O.A.
15P.O.A.
17P.O.A.
19P.O.A.
21P.O.A.
23P.O.A.
25P.O.A.
27P.O.A.
29P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

86 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

DirectFET, HEXFET

Тип корпуса

DirectFET(M)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

89 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.05мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.5мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

DirectFET® Power MOSFET, Infineon

The DirectFET® power package is a surface-mount power MOSFET packaging technology. DirectFET® MOSFETs is a solution to reduce energy losses while shrinking the design footprint in advanced switching applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.