Infineon IRF6643TRPBF MOSFET

Код товара RS: 130-0946Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF6643TRPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

DirectFET, HEXFET

Тип корпуса

DirectFET(M)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное сопротивление сток-исток

34,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

89 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.05мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

39 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.59мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

Digital Audio MOSFET, Infineon

Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IRF6643TRPBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 2
1P.O.A.
3P.O.A.
5P.O.A.
7P.O.A.
9P.O.A.
11P.O.A.
13P.O.A.
15P.O.A.
17P.O.A.
19P.O.A.
21P.O.A.
23P.O.A.
25P.O.A.
27P.O.A.
29P.O.A.

P.O.A.

Infineon IRF6643TRPBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 2
1P.O.A.
3P.O.A.
5P.O.A.
7P.O.A.
9P.O.A.
11P.O.A.
13P.O.A.
15P.O.A.
17P.O.A.
19P.O.A.
21P.O.A.
23P.O.A.
25P.O.A.
27P.O.A.
29P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

DirectFET, HEXFET

Тип корпуса

DirectFET(M)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное сопротивление сток-исток

34,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

89 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.05мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

39 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.59мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Информация о товаре

Digital Audio MOSFET, Infineon

Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.