Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 81 A, 20 V DirectFET ISOMETRIC IRF6636TRPBF

Код товара RS: 222-4738Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF6636TRPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

81 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

DirectFET(M)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0064 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.45V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (On a Reel of 4800) (ex VAT)

Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 81 A, 20 V DirectFET ISOMETRIC IRF6636TRPBF

4800

Доступно в кратности 4800
4800P.O.A.
9600P.O.A.
14400P.O.A.
19200P.O.A.
24000P.O.A.
28800P.O.A.
33600P.O.A.
38400P.O.A.
43200P.O.A.
48000P.O.A.
52800P.O.A.
57600P.O.A.
62400P.O.A.
67200P.O.A.
72000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 4800) (ex VAT)

Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 81 A, 20 V DirectFET ISOMETRIC IRF6636TRPBF
Информация о наличии не успела загрузиться

4800

Доступно в кратности 4800
4800P.O.A.
9600P.O.A.
14400P.O.A.
19200P.O.A.
24000P.O.A.
28800P.O.A.
33600P.O.A.
38400P.O.A.
43200P.O.A.
48000P.O.A.
52800P.O.A.
57600P.O.A.
62400P.O.A.
67200P.O.A.
72000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

81 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

DirectFET(M)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0064 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.45V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний