P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V, 3-Pin I2PAK Infineon IRF5210LPBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
38 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
I2PAK (TO-262)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
60 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
150 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.54мм
Ширина
4.69мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
10.54мм
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 1 144,32
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
тг 1 144,32
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 1 144,32 | тг 5 721,60 |
| 25 - 95 | тг 607,92 | тг 3 039,60 |
| 100 - 245 | тг 536,40 | тг 2 682,00 |
| 250 - 495 | тг 478,29 | тг 2 391,45 |
| 500+ | тг 469,35 | тг 2 346,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
38 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
I2PAK (TO-262)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
60 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
150 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.54мм
Ширина
4.69мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
10.54мм
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.