Infineon IRF4905STRLPBF MOSFET

Код товара RS: 124-8782Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF4905STRLPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

70 A

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

170 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

120 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Korea, Republic Of

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

P.O.A.

Infineon IRF4905STRLPBF MOSFET

1

Доступно в кратности 800
1P.O.A.
801P.O.A.
1601P.O.A.
2401P.O.A.
3201P.O.A.
4001P.O.A.
4801P.O.A.
5601P.O.A.
6401P.O.A.
7201P.O.A.
8001P.O.A.
8801P.O.A.
9601P.O.A.
10401P.O.A.
11201P.O.A.

P.O.A.

Infineon IRF4905STRLPBF MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 800
1P.O.A.
801P.O.A.
1601P.O.A.
2401P.O.A.
3201P.O.A.
4001P.O.A.
4801P.O.A.
5601P.O.A.
6401P.O.A.
7201P.O.A.
8001P.O.A.
8801P.O.A.
9601P.O.A.
10401P.O.A.
11201P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

70 A

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

170 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

120 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Korea, Republic Of

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.