Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V, 3-Pin D2PAK IRF3205ZSTRLPBF

Код товара RS: 222-4735PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF3205ZSTRLPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0065 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V, 3-Pin D2PAK IRF3205ZSTRLPBF
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V, 3-Pin D2PAK IRF3205ZSTRLPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0065 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний