Infineon IRF1404PBF MOSFET

Код товара RS: 543-1083Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF1404PBFDistrelec Article No.: 30284006
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

202 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

333 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

131 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

8.77мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 40V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 309,71

тг 1 309,71 Each (ex VAT)

Infineon IRF1404PBF MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 309,71
2тг 2 619,42
3тг 3 929,13
4тг 5 238,84
5тг 6 548,55
6тг 7 858,26
7тг 9 167,97
8тг 10 477,68
9тг 11 787,39
10тг 13 097,10
11тг 14 406,81
12тг 15 716,52
13тг 17 026,23
14тг 18 335,94
15тг 19 645,65

тг 1 309,71

тг 1 309,71 Each (ex VAT)

Infineon IRF1404PBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 309,71
2тг 2 619,42
3тг 3 929,13
4тг 5 238,84
5тг 6 548,55
6тг 7 858,26
7тг 9 167,97
8тг 10 477,68
9тг 11 787,39
10тг 13 097,10
11тг 14 406,81
12тг 15 716,52
13тг 17 026,23
14тг 18 335,94
15тг 19 645,65

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 309,71
25 - 99тг 755,43
100 - 249тг 710,73
250 - 499тг 670,50
500+тг 634,74
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

202 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

333 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

131 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

8.77мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET 40V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать