Infineon IPZ65R045C7XKSA1 MOSFET

Код товара RS: 145-9726Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPZ65R045C7XKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

46 A

Максимальное напряжение сток-исток

700 V

Серия

CoolMOS C7

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

227 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

21.1мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

93 нКл при 10 В

Высота

5.21мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPZ65R045C7XKSA1 MOSFET

P.O.A.

Infineon IPZ65R045C7XKSA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

46 A

Максимальное напряжение сток-исток

700 V

Серия

CoolMOS C7

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

227 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

21.1мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

93 нКл при 10 В

Высота

5.21мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.