N-Channel MOSFET, 17.5 A, 650 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW65R190CFDFKSA1

Код товара RS: 906-4384PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IPW65R190CFDFKSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

17,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS CFD

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

190 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

151 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

68 нКл при 10 В

Ширина

5.21мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Высота

21.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 17.5 A, 650 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW65R190CFDFKSA1
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 4.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 4.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

4

Доступно в кратности 4
4P.O.A.
8P.O.A.
12P.O.A.
16P.O.A.
20P.O.A.
24P.O.A.
28P.O.A.
32P.O.A.
36P.O.A.
40P.O.A.
44P.O.A.
48P.O.A.
52P.O.A.
56P.O.A.
60P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 17.5 A, 650 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW65R190CFDFKSA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 4.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 4.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

4

Доступно в кратности 4
4P.O.A.
8P.O.A.
12P.O.A.
16P.O.A.
20P.O.A.
24P.O.A.
28P.O.A.
32P.O.A.
36P.O.A.
40P.O.A.
44P.O.A.
48P.O.A.
52P.O.A.
56P.O.A.
60P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

17,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS CFD

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

190 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

151 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

68 нКл при 10 В

Ширина

5.21мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Высота

21.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.