N-Channel MOSFET, 31 A, 700 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW65R110CFDFKSA1

Код товара RS: 826-8241Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPW65R110CFDFKSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

31 A

Максимальное напряжение сток-исток

700 V

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Максимальное рассеяние мощности

277,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

118 нКл при 10 В

Ширина

5.21мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

CoolMOS CFD

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21.1мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 346,75

Each (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 31 A, 700 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW65R110CFDFKSA1
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 346,75
2тг 4 693,50
3тг 7 040,25
4тг 9 387,00
5тг 11 733,75
6тг 14 080,50
7тг 16 427,25
8тг 18 774,00
9тг 21 120,75
10тг 23 467,50
11тг 25 814,25
12тг 28 161,00
13тг 30 507,75
14тг 32 854,50
15тг 35 201,25

тг 2 346,75

Each (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 31 A, 700 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW65R110CFDFKSA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 346,75
2тг 4 693,50
3тг 7 040,25
4тг 9 387,00
5тг 11 733,75
6тг 14 080,50
7тг 16 427,25
8тг 18 774,00
9тг 21 120,75
10тг 23 467,50
11тг 25 814,25
12тг 28 161,00
13тг 30 507,75
14тг 32 854,50
15тг 35 201,25

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 2 346,75
25 - 49тг 1 926,57
50 - 99тг 1 729,89
100 - 239тг 1 636,02
240+тг 1 600,26
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

31 A

Максимальное напряжение сток-исток

700 V

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Максимальное рассеяние мощности

277,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

16.13мм

Типичный заряд затвора при Vgs

118 нКл при 10 В

Ширина

5.21мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

CoolMOS CFD

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21.1мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать