Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IPW60R165CPFKSA1

Код товара RS: 145-8593Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPW60R165CPFKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

21 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

CoolMOS CP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

192 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

39 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.21мм

Длина

16.13мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

21.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

P.O.A.

Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IPW60R165CPFKSA1

P.O.A.

Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IPW60R165CPFKSA1

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

21 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

CoolMOS CP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

192 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

39 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.21мм

Длина

16.13мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

21.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.