Infineon IPW60R099CPFKSA1 MOSFET

Код товара RS: 753-3065Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPW60R099CPFKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

31 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS CP

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

99 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

255 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.13мм

Ширина

5.21мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21.1мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 2 583,66

тг 2 583,66 Each (ex VAT)

Infineon IPW60R099CPFKSA1 MOSFET
Select packaging type

тг 2 583,66

тг 2 583,66 Each (ex VAT)

Infineon IPW60R099CPFKSA1 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 2 583,66
25 - 99тг 2 337,81
100 - 239тг 2 087,49
240 - 479тг 2 042,79
480+тг 1 998,09

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

31 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS CP

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

99 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

255 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

16.13мм

Ширина

5.21мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21.1мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.