Infineon IPW60R045CPFKSA1 MOSFET

Код товара RS: 752-8397Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPW60R045CP
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS CP

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

431 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.21мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

150 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

16.13мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21.1мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 6 499,38

тг 6 499,38 Each (ex VAT)

Infineon IPW60R045CPFKSA1 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 6 499,38
2тг 12 998,76
3тг 19 498,14
4тг 25 997,52
5тг 32 496,90
6тг 38 996,28
7тг 45 495,66
8тг 51 995,04
9тг 58 494,42
10тг 64 993,80
11тг 71 493,18
12тг 77 992,56
13тг 84 491,94
14тг 90 991,32
15тг 97 490,70

тг 6 499,38

тг 6 499,38 Each (ex VAT)

Infineon IPW60R045CPFKSA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 6 499,38
2тг 12 998,76
3тг 19 498,14
4тг 25 997,52
5тг 32 496,90
6тг 38 996,28
7тг 45 495,66
8тг 51 995,04
9тг 58 494,42
10тг 64 993,80
11тг 71 493,18
12тг 77 992,56
13тг 84 491,94
14тг 90 991,32
15тг 97 490,70

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 6 499,38
25 - 99тг 5 466,81
100 - 239тг 5 122,62
240 - 479тг 5 019,81
480+тг 4 577,28

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS CP

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

431 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.21мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

150 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

16.13мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

21.1мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.