Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device SiC N-Channel MOSFET, 63 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT65R040CFD7XTMA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
63 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Тип корпуса
PG-HSOF-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Номер канала
Поднятие
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
SiC
P.O.A.
1 Reel of 1 (ex VAT)
2000
P.O.A.
1 Reel of 1 (ex VAT)
2000
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
63 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Тип корпуса
PG-HSOF-8
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Номер канала
Поднятие
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
SiC