Infineon IPT012N08N5ATMA1 MOSFET

Код товара RS: 170-2318Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPT012N08N5ATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

HSOF

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8 + Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

1,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

178 нКл при 10 В

Ширина

10.58мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

2.4мм

Серия

IPT012N08N5

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPT012N08N5ATMA1 MOSFET

P.O.A.

Infineon IPT012N08N5ATMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

HSOF

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8 + Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

1,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

178 нКл при 10 В

Ширина

10.58мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

2.4мм

Серия

IPT012N08N5

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V