Infineon IPT007N06NATMA1 MOSFET

Код товара RS: 178-7451Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPT007N06NATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

OptiMOS 5

Тип корпуса

PG-HSOF-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

10.1мм

Длина

10.58мм

Типичный заряд затвора при Vgs

216 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Прямое напряжение диода

1V

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPT007N06NATMA1 MOSFET

1

Доступно в кратности 2000
1P.O.A.
2001P.O.A.
4001P.O.A.
6001P.O.A.
8001P.O.A.
10001P.O.A.
12001P.O.A.
14001P.O.A.
16001P.O.A.
18001P.O.A.
20001P.O.A.
22001P.O.A.
24001P.O.A.
26001P.O.A.
28001P.O.A.

P.O.A.

Infineon IPT007N06NATMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 2000
1P.O.A.
2001P.O.A.
4001P.O.A.
6001P.O.A.
8001P.O.A.
10001P.O.A.
12001P.O.A.
14001P.O.A.
16001P.O.A.
18001P.O.A.
20001P.O.A.
22001P.O.A.
24001P.O.A.
26001P.O.A.
28001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

OptiMOS 5

Тип корпуса

PG-HSOF-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

10.1мм

Длина

10.58мм

Типичный заряд затвора при Vgs

216 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Прямое напряжение диода

1V

Высота

2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.