Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V, 3-Pin TO-220 IPP80N08S2L07AKSA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
75 В
Серия
OptiMOS
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
6,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
183 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
15.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 243 615,00
тг 487,23 Each (In a Tube of 500) (ex VAT)
500
тг 243 615,00
тг 487,23 Each (In a Tube of 500) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
500
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Труба |
|---|---|---|
| 500 - 500 | тг 487,23 | тг 243 615,00 |
| 1000 - 2000 | тг 478,29 | тг 239 145,00 |
| 2500+ | тг 469,35 | тг 234 675,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
75 В
Серия
OptiMOS
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
6,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
183 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
15.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.