Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
700 V
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
310 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
104,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
41 нКл при 10 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
CoolMOS CFD
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
15.95мм
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 514,05
Each (In a Tube of 500) (ex VAT)
500
тг 514,05
Each (In a Tube of 500) (ex VAT)
500
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Труба |
---|---|---|
500 - 500 | тг 514,05 | тг 257 025,00 |
1000 - 2000 | тг 505,11 | тг 252 555,00 |
2500+ | тг 491,70 | тг 245 850,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
700 V
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
310 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
104,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
41 нКл при 10 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
CoolMOS CFD
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
15.95мм
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.