N-Channel MOSFET, 18 A, 700 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP65R125C7XKSA1

Код товара RS: 897-7589Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPP65R125C7XKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

18 A

Максимальное напряжение сток-исток

700 V

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

125 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

101 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 10 В

Ширина

15.95мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

0.9V

Высота

4.57мм

Серия

CoolMOS C7

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 18 A, 700 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP65R125C7XKSA1
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 18 A, 700 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP65R125C7XKSA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

18 A

Максимальное напряжение сток-исток

700 V

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

125 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

101 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 10 В

Ширина

15.95мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

0.9V

Высота

4.57мм

Серия

CoolMOS C7

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.