N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP60R199CPXKSA1

Код товара RS: 911-0872Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPP60R199CPXKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

16 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS CP

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

490 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

139 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.57мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Высота

15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP60R199CPXKSA1

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP60R199CPXKSA1
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

16 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS CP

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

490 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

139 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.57мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Высота

15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.