Infineon IPP60R199CPXKSA1 MOSFET

Код товара RS: 823-5762Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPP60R199CPXKSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

16 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

CoolMOS CP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

490 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

139 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 2 404,86

тг 1 202,43 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon IPP60R199CPXKSA1 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 404,86
4тг 4 809,72
6тг 7 214,58
8тг 9 619,44
10тг 12 024,30
12тг 14 429,16
14тг 16 834,02
16тг 19 238,88
18тг 21 643,74
20тг 24 048,60
22тг 26 453,46
24тг 28 858,32
26тг 31 263,18
28тг 33 668,04
30тг 36 072,90

тг 2 404,86

тг 1 202,43 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon IPP60R199CPXKSA1 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 404,86
4тг 4 809,72
6тг 7 214,58
8тг 9 619,44
10тг 12 024,30
12тг 14 429,16
14тг 16 834,02
16тг 19 238,88
18тг 21 643,74
20тг 24 048,60
22тг 26 453,46
24тг 28 858,32
26тг 31 263,18
28тг 33 668,04
30тг 36 072,90

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 48тг 1 202,43тг 2 404,86
50 - 98тг 1 180,08тг 2 360,16
100 - 198тг 1 153,26тг 2 306,52
200 - 498тг 1 130,91тг 2 261,82
500+тг 911,88тг 1 823,76

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

16 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

CoolMOS CP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

490 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

139 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.