Infineon N-Channel MOSFET, 38 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP60R099C6XKSA1

Код товара RS: 898-6895PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IPP60R099C6XKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

38 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS C6

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

99 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

35 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.9мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.65мм

Типичный заряд затвора при Vgs

119 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

16.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Infineon N-Channel MOSFET, 38 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP60R099C6XKSA1
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Infineon N-Channel MOSFET, 38 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP60R099C6XKSA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

38 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS C6

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

99 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

35 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.9мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.65мм

Типичный заряд затвора при Vgs

119 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

16.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.