Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
14.1 A
Максимальное напряжение сток-исток
550 В
Серия
CoolMOS CE
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
380 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
98 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
24,8 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
0.85V
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 3 978,30
тг 397,83 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 3 978,30
тг 397,83 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 90 | тг 397,83 | тг 3 978,30 |
| 100 - 490 | тг 348,66 | тг 3 486,60 |
| 500 - 990 | тг 308,43 | тг 3 084,30 |
| 1000 - 2490 | тг 299,49 | тг 2 994,90 |
| 2500+ | тг 295,02 | тг 2 950,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
14.1 A
Максимальное напряжение сток-исток
550 В
Серия
CoolMOS CE
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
380 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
98 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
24,8 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
0.85V
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
