Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 58 A, 100 V, 3-Pin TO-220 IPP126N10N3GXKSA1

Код товара RS: 892-2273Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPP126N10N3GXKSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

58 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

23,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

94 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

26 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 799,50

тг 379,95 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 58 A, 100 V, 3-Pin TO-220 IPP126N10N3GXKSA1
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 799,50
20тг 7 599,00
30тг 11 398,50
40тг 15 198,00
50тг 18 997,50
60тг 22 797,00
70тг 26 596,50
80тг 30 396,00
90тг 34 195,50
100тг 33 078,00
110тг 36 385,80
120тг 39 693,60
130тг 43 001,40
140тг 46 309,20
150тг 49 617,00

тг 3 799,50

тг 379,95 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 58 A, 100 V, 3-Pin TO-220 IPP126N10N3GXKSA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 799,50
20тг 7 599,00
30тг 11 398,50
40тг 15 198,00
50тг 18 997,50
60тг 22 797,00
70тг 26 596,50
80тг 30 396,00
90тг 34 195,50
100тг 33 078,00
110тг 36 385,80
120тг 39 693,60
130тг 43 001,40
140тг 46 309,20
150тг 49 617,00

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 90тг 379,95тг 3 799,50
100 - 490тг 330,78тг 3 307,80
500 - 990тг 290,55тг 2 905,50
1000 - 2490тг 286,08тг 2 860,80
2500+тг 281,61тг 2 816,10

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

58 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

23,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

94 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

26 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.