Infineon IPP111N15N3GXKSA1 MOSFET

Код товара RS: 165-8120Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPP111N15N3 G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

83 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

214 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

41 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPP111N15N3GXKSA1 MOSFET

1

Доступно в кратности 50
1P.O.A.
51P.O.A.
101P.O.A.
151P.O.A.
201P.O.A.
251P.O.A.
301P.O.A.
351P.O.A.
401P.O.A.
451P.O.A.
501P.O.A.
551P.O.A.
601P.O.A.
651P.O.A.
701P.O.A.

P.O.A.

Infineon IPP111N15N3GXKSA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 50
1P.O.A.
51P.O.A.
101P.O.A.
151P.O.A.
201P.O.A.
251P.O.A.
301P.O.A.
351P.O.A.
401P.O.A.
451P.O.A.
501P.O.A.
551P.O.A.
601P.O.A.
651P.O.A.
701P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

83 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

214 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

41 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.