Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
136 нКл при 10 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
15.95мм
Серия
OptiMOS 2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family
Infineons OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
5,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
136 нКл при 10 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
15.95мм
Серия
OptiMOS 2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family
Infineons OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
