Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 50 A, 30 V, 3-Pin TO-220 IPP055N03LGXKSA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
OptiMOS 3
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
68 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
4.57мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
15.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, up to 40V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
OptiMOS 3
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
68 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
4.57мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
15.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, up to 40V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.