Infineon IPG20N06S4L26ATMA1 MOSFET

Код товара RS: 110-9095Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPG20N06S4L26ATMA1
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

46 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

33 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

5.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Ширина

5.9мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

0.75мм

Серия

OptiMOS

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPG20N06S4L26ATMA1 MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Infineon IPG20N06S4L26ATMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

46 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

33 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

5.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Ширина

5.9мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

0.75мм

Серия

OptiMOS

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.