Infineon SiC N-Channel MOSFET, 112 A, 600 V, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60R020CFD7XTMA1

Код товара RS: 284-741Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPDQ60R020CFD7XTMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

112 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

600V CoolMOS

Тип корпуса

PG-HDSOP-22

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

22

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon SiC N-Channel MOSFET, 112 A, 600 V, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60R020CFD7XTMA1
Select packaging type

P.O.A.

Infineon SiC N-Channel MOSFET, 112 A, 600 V, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60R020CFD7XTMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

112 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

600V CoolMOS

Тип корпуса

PG-HDSOP-22

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

22

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC