Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD90P04P4L04ATMA1

Код товара RS: 827-5230PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD90P04P4L04ATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

90 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

OptiMOS P

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

135 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.41мм

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD90P04P4L04ATMA1
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD90P04P4L04ATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

90 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

OptiMOS P

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

135 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.41мм

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.