Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD90P03P4L04ATMA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
90 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Серия
OptiMOS P
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
6,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
137 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +5 В
Длина
6.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
125 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
2.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
90 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Серия
OptiMOS P
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
6,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
137 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +5 В
Длина
6.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
125 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
2.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.