Infineon OptiMOS™ -T2 Silicon N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD90N04S4L04ATMA1

Код товара RS: 229-1837Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD90N04S4L04ATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

90 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

OptiMOS T2

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0038 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

P.O.A.

Each (In a Pack of 15) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ -T2 Silicon N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD90N04S4L04ATMA1
Select packaging type

P.O.A.

Each (In a Pack of 15) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ -T2 Silicon N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD90N04S4L04ATMA1

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

90 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

OptiMOS T2

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0038 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний