N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R900P7ATMA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Серия
800V CoolMOS™ P7
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
0.9 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Серия
800V CoolMOS™ P7
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
0.9 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний