N-Channel MOSFET, 1.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R3K3P7ATMA1

Код товара RS: 214-9050Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD80R3K3P7ATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-252

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3.3 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Серия

CoolMOS P7

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R3K3P7ATMA1

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R3K3P7ATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-252

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3.3 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Серия

CoolMOS P7