N-Channel MOSFET, 70 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD70N10S3L12ATMA1

Код товара RS: 753-3021Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD70N10S3L12ATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

70 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

59 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.5мм

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

OptiMOS T

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.3мм

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™T Power MOSFETs

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 3 173,70

тг 634,74 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 70 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD70N10S3L12ATMA1
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 173,70
10тг 6 347,40
15тг 9 521,10
20тг 12 694,80
25тг 15 868,50
30тг 19 042,20
35тг 22 215,90
40тг 25 389,60
45тг 28 563,30
50тг 31 737,00
55тг 34 910,70
60тг 38 084,40
65тг 41 258,10
70тг 44 431,80
75тг 47 605,50

тг 3 173,70

тг 634,74 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 70 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD70N10S3L12ATMA1

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 173,70
10тг 6 347,40
15тг 9 521,10
20тг 12 694,80
25тг 15 868,50
30тг 19 042,20
35тг 22 215,90
40тг 25 389,60
45тг 28 563,30
50тг 31 737,00
55тг 34 910,70
60тг 38 084,40
65тг 41 258,10
70тг 44 431,80
75тг 47 605,50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 120тг 634,74тг 3 173,70
125 - 495тг 371,01тг 1 855,05
500 - 2495тг 353,13тг 1 765,65
2500 - 12495тг 250,32тг 1 251,60
12500+тг 241,38тг 1 206,90

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

70 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

15,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

59 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.5мм

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

OptiMOS T

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.3мм

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™T Power MOSFETs

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.