Infineon IPD60R400CEATMA1 MOSFET

Код товара RS: 130-0900Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD60R400CEATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

14.7 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-252

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

112 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

6.22мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Высота

2.41мм

Серия

CoolMOS CE

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPD60R400CEATMA1 MOSFET

P.O.A.

Infineon IPD60R400CEATMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

14.7 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-252

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

112 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

6.22мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Высота

2.41мм

Серия

CoolMOS CE

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.