Infineon IPD60R380P6ATMA1 MOSFET

Код товара RS: 130-0899Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD60R380P6ATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

380 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

6.22мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Высота

2.41мм

Серия

CoolMOS P6

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET

The Infineon range of CoolMOSE6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPD60R380P6ATMA1 MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

Infineon IPD60R380P6ATMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

380 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

6.22мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Высота

2.41мм

Серия

CoolMOS P6

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET

The Infineon range of CoolMOSE6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.