Infineon OptiMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 3-Pin DPAK IPD60N10S4L12ATMA1

Код товара RS: 222-4669PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD60N10S4L12ATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS

Тип корпуса

TO-252

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.012 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 3-Pin DPAK IPD60N10S4L12ATMA1
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 3-Pin DPAK IPD60N10S4L12ATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS

Тип корпуса

TO-252

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.012 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1